TIP35C Transistor BJT NPN 100V – 25A TO-247

Descripción

TIP35C Transistor BJT NPN 100V – 25A TO-247, semiconductor bipolar de alta potencia de juntura NPN. Este transistor es capaz de disipar hasta 125W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 25A o que requieran tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 15 y 75.

Dispositivo diseñado para el Procesado de Señales, Administración de Potencia, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo e Industrial, puede operar como interruptor y Amplificador de Audio.

Principales Características:

• Tipo de Encapsulado: TO-247
• Transistor complementario TIP36C
• Transistor equivalente a TIP35, TIP35A, TIP35B, NTE392
• Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
• Voltaje Colector – Emisor (VCE): 100V
• Voltaje Colector – Base (VCB): 100V
• Voltaje Emisor – Base (VEB): 5V
• Corriente Colector (IC): 25A
• Corriente Base (IB): 5A
• Potencia Máxima Disipada (PD): 125W
• Ganancia Máxima (hFE): 75
• Frecuencia de Trabajo (FT): 3 MHz

Hoja Técnica TIP35C